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高能球磨儀

高能球磨儀

  • 產品型號:EMAX
  • 更新時間:2024-10-21
  • 產品介紹:全新的高能球磨儀EMAX運行過程利用摩擦力和碰撞力結合,在短時間能迅速研磨樣品,轉速可達2000 min-1。創新的冷卻係統,避免高速運行的研磨過程產生的熱量影響樣品。特殊的研磨罐幾何設計,讓樣品充分混合,研磨結果均勻性高。
  • 廠商性質:經銷商
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產(chan) 品介紹

全新的高能研磨儀(yi) EMAX,運行過程利用摩擦力和碰撞力結合,在短時間能迅速研磨樣品,轉速可達2000 min-1。創新的冷卻係統,避免高速運行的研磨過程產(chan) 生的熱量影響樣品。特殊的研磨罐幾何設計,讓樣品充分混合,研磨結果均勻性高。

應用實例
合金, 骨頭, 碳化纖維, 催化劑, 纖維素, 水泥熔渣, 陶瓷, 化學品, 粘土礦物, 煤, 焦炭, 混凝土, 纖維製品, 玻璃, 石膏, 鐵礦石, 高嶺土, 石灰石, 金屬氧化物, 礦物, 礦石, 紙張, 色素, 植物原料, 聚合物, 石英, semi-precious stones, 下水道汙泥, 爐渣, 土壤, tea, 煙草, 廢棄樣品, 木頭。

Emax結合了高頻衝(chong) 擊、強烈摩擦和可控的圓周運動,形成了*而高效的研磨機製。
不需要額外的冷卻間歇
高效冷卻係統
在開發高能球磨儀(yi) 時,的挑戰是控製溫度,因為(wei) 巨大的研磨能量會(hui) 導致研磨罐內(nei) 積聚大量熱量。 RETSCH通過創新的集成水冷係統解決(jue) 了這個(ge) 問題。因此,Emax通常不需要冷卻間歇,而傳(chuan) 統球磨儀(yi) 即使在低轉速的長期研磨也需要冷卻間歇。 在Emax內(nei) 部,冷卻係統通過罐支架冷卻研磨罐。這是非常有效的,因為(wei) 熱量更容易相比於(yu) 傳(chuan) 遞到空氣中更容易傳(chuan) 遞到水中。用戶可以選擇三種冷卻方式:除內(nei) 部冷卻外,還可以將球磨儀(yi) 連接到冷水機或水龍頭,以進一步降低溫度。

作用原理
研磨尺寸在亞(ya) 微米範圍
Emax結合了高頻撞擊、強烈摩擦和可控的圓周運動,形成了*而高效的研磨機製。研磨罐呈橢圓形,分別安裝在兩(liang) 個(ge) 圓盤上,圓盤在不改變其方向的情況下沿圓形方向移動研磨罐。 研磨罐的幾何形狀和運動的相互作用,使研磨球、試樣材料和研磨罐壁之間產(chan) 生強烈的摩擦,並使研磨罐快速加速,使研磨罐的圓端對試樣產(chan) 生巨大的衝(chong) 擊力。這顯著地改善了顆粒的混合,導致在球磨儀(yi) 中實現更小的研磨尺寸和更窄的顆粒尺寸分布。

安全有效的研磨工藝
各種配件
研磨罐有三種材質
可用的研磨罐容積為(wei) 50毫升和125毫升,材質包括不鏽鋼、碳化鎢和氧化鋯,確保無汙染的樣品製備。
通氣蓋
RETSCH為(wei) 研磨罐提供了一種特殊的通氣蓋,設計用於(yu) 在球磨罐中保持特殊氣氛的應用。
不同的研磨球尺寸 & 材料
研磨球有不鏽鋼、碳化鎢和氧化鋯材質。尺寸範圍從(cong) 0.1毫米到15毫米,取決(jue) 於(yu) 材質。


高能球磨儀(yi) EMAX技術參數

應用

納米研磨、粉碎、均質化、機械合金化、膠體(ti) 磨、高能源粉碎

應用領域

農(nong) 業(ye) , 化學, 醫藥, 地質/冶金, 工程/電子, 建築材料, 環境/循環, 玻璃/陶瓷, 生物

樣品特征

中硬性, 硬的, 脆性的, 纖維性的 - 幹的或濕的

粉碎原理:

撞擊力,摩擦力

進樣尺寸

< 5 mm

終出料粒度 *

< 80 nm

批次加料量*

2 x 45 ml

網頻50赫茲(zi) (60赫茲(zi) )下的轉速

300 - 2000 min-1

冷卻

水冷控製一體(ti) / 可選: 外部冷卻裝置

溫度控製:

研磨平台數 (可接納研磨罐數)

2

研磨罐種類

含完整的安全緊固裝置

研磨套件材料:

不鏽鋼, 碳化鎢, 氧化鋯

研磨罐尺寸

50 ml / 125 ml

粉碎時間設定

00:01:00 to 99:59:59

間歇驅動

是,可選反向間歇

轉動時間

00:01:00 to 99:59:59

暫停時間

00:01:00 to 99:59:59

可存儲(chu) 運行模式

10

串行接口

USB / LAN ( RJ45)

驅動

帶變頻器的三相交流電動機

驅動功率

2600 W

電源數據:

不同電壓

電源接頭:

單相

防護類型

IP 30

接受功率

~ 3100W (VA)

機體(ti) 尺寸(寬x高x縱深)

625 x 525 x 645 mm

淨重

~ 120 kg

標準

CE

受樣品材料性質和儀(yi) 器配置/設定的影響



 

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